為落實《北京市加快科技創(chuàng)新發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的指導意見》，推動北京集成電路在核心器件、制造工藝和新型芯片研制等前沿技術領域取得重大突破，現(xiàn)圍繞以下重點方向開展儲備課題征集。
一、征集方向
本方向按照新型邏輯器件及核心工藝技術研究，新型存儲和存算一體化器件及集成技術研究，新型架構的芯片設計技術研究以及其他創(chuàng)新研究等重點方向部署研究任務。
1.新型邏輯器件及核心工藝技術研究
面向后摩爾時代集成電路制造技術的多樣性與不確定性等特點，開展新結構、新原理器件的基礎理論研究與前瞻性關鍵工藝技術攻關。重點部署以下方向：（1）水平堆疊的納米線/納米片圍柵器件（H-GAA）、垂直納米線/納米片圍柵器件（V-GAA）等新結構器件；（2）隧穿型晶體管（TFET）、負電容晶體管（NCFET）和冷源晶體管等新原理器件；（3）變革性器件原理和技術。
2.新型存儲和存算一體化器件及集成技術研究
突破“馮·諾依曼”體系架構的限制與傳統(tǒng)CMOS器件的發(fā)展瓶頸，開展新型存儲和存算一體化器件的基礎研究與架構集成核心技術攻關，重點部署以下方向：（1）新型存儲和存算一體化器件的設計與工藝開發(fā)，包括阻變存儲器、磁存儲器、相變存儲器和鐵電存儲器等；（2）基于新型存儲器件的存算一體架構設計與芯片關鍵技術研究；（3）基于異構異質集成技術的三維系統(tǒng)設計與新型芯片研制等。
3.新型架構的芯片設計技術研究
面向人工智能、大數(shù)據(jù)等高能效計算的需求，開展新型計算架構和設計方法學的基礎研究和核心技術攻關，重點部署以下方向：（1）基于新型架構的芯片設計、系統(tǒng)級建模及快速原型設計方法；（2）可重構計算理論、架構設計、編譯技術及關鍵電路；（3）近似計算、隨機計算等新原理設計方法及關鍵電路。
4.其他
鼓勵與集成電路產(chǎn)業(yè)相關的各項創(chuàng)新。
二、申報儲備課題及申報單位要求
1.申報儲備課題具有明確的技術創(chuàng)新性，具有清晰、可量化的目標及考核指標。
2.申報儲備課題的單位須填寫《儲備課題征集簡表》（見附件1）電子版。
3.儲備課題投資總額和資金來源應明確說明，凡企業(yè)牽頭的課題須自籌配套經(jīng)費，配套經(jīng)費總額與科技經(jīng)費總額比例不低于1:1。
4.申報單位須為在北京地區(qū)注冊、具有獨立法人資格的企業(yè)或事業(yè)單位，具有相應的科研能力和條件，運行管理規(guī)范。
5.鼓勵產(chǎn)學研用結合。
三、材料受理
1.申報材料受理截止時間為5月20日中午12點。
2.材料要求：
（1）請將附件1電子版文件發(fā)送至郵箱：jiaxiaoyun@kw.beijing.gov.cn，若收到回復郵件，說明材料正常接收，否則請電話聯(lián)系確認。
（2）申報聯(lián)系電話：58851812-861 賈曉云
62341509-3403 夏 瑾
附件：
市科委信材處
2019年4月29日
